全球最大的内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics Co.)将继续削减DRAM芯片的产量，至少持续到今年年底，该公司正在谨慎地评估增加供应的合适时机。
业内消息人士援引三星高管的话说，10月份DRAM芯片合约价格出现近两年半以来的首次反弹，但现在生产内存芯片还为时过早。
一位知情人士说，三星在最近向投资者和分析师进行的非交易路演中发表了上述言论。
消息人士称，这家总部位于韩国水原的芯片制造商将在明年初密切关注市场趋势后，决定何时以及以多少方式增加内存芯片产量。
去年10月，DRAM合约价格27个月来首次上涨，得益于三星和其他全球芯片制造商从去年第四季度开始的减产行动。
世界第二大存储芯片制造商SK海力士(SK Hynix)和美光科技(Micron Technology)、kixia等同行在全球经济放缓的情况下，由于供应过剩，从2022年底开始大幅削减芯片投资和生产。
此前一直持观望态度的市场领军企业三星(Samsung)今年4月加入了这两家公司的行列，让市场松了一口气，并燃起了三星此举将推动市场早日复苏的希望。
自今年4月以来，三星一直在通过削减DDR4 DRAM和128层NAND闪存等传统芯片的晶圆投入来削减芯片产量。不过，该公司表示，将继续投资于先进DRAM芯片的基础设施建设，并扩大研发支出，以巩固其长期的市场领导地位。
供应将在第二季度正常化
业界有关人士表示，由于晶圆投入的增加需要3 ~ 4个月的时间才能实现芯片产量的实际增长，因此DRAM供应最早将在明年第二季度出现增长。
行业观察人士表示，主要芯片制造商的DRAM芯片供应将在2024年下半年大幅增加。
多数芯片制造商一致认为，NAND闪存芯片的复苏将晚于DRAM芯片，因其客户的NAND芯片库存水平较高。
外界普遍预计，三星电子将在维持DRAM产量的同时，增加高带宽存储器(HBM)等先进芯片的产量和投资。
本月早些时候，三星以105亿韩圆(合800万美元)的价格从子公司三星显示器公司(Samsung Display Co.)购买了大楼和设施，以扩大其HBM芯片的生产。
三星的同城竞争对手SK海力士也在积极加大对HBM系列DRAM芯片的投资，以保持在HBM领域的领先地位。
知情人士周四说，三星已为明年的设备投资预留了10万亿韩圆，较今年预计的6万亿至7万亿韩圆的资本支出增加了43.67%。
消息人士称，2024年增加的支出中，大部分将用于建造HBM3、DDR5和LPDDR5等先进DRAM芯片的设施。
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